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CMCP788A-IP	文件：521.429 Kbytes Page：2 Pages	PremiumTopEntryAccelerometer,Submersible Features •PrecisionTopEntryAccelerometer •100mV/g±5 •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •IntegralPURCable •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25MountingStudsIncluded •SealedtoIP68	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CMCP788T	文件：512.44 Kbytes Page：2 Pages	PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureand3PinMS5015 Features •DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature •100mV/g±15and10mV/°C •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •3PinMS5015Connector •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25Mounting	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CMCP788T-I	文件：505.27 Kbytes Page：2 Pages	PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureandIntegralArmoredBraidedCable Features •DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature •100mV/g±5and10mV/°C •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •IntegralBraidedArmorCable •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25Moun	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CMCP788T-IP	文件：542.09 Kbytes Page：2 Pages	PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureandSubmersiblePURIntegralCable Features •DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature •100mV/g±5and10mV/°C •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •IntegralBraidedArmorCable •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25Moun	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CP788X	文件：705.35 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorPNP-LowNoiseAmplifierTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize13.7x13.7MILS DieThickness5.9MILS BaseBondingPadArea4.0x4.0MILS EmitterBondingPadArea5.5x5.5MILS TopSideMetalizationAl-Si-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
D788	文件：31.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNEpitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB738and2SB739	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
DRA788	文件：3.91118 Mbytes Page：269 Pages	DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DRA788	文件：3.91028 Mbytes Page：269 Pages	DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DRA788ABF	文件：3.91118 Mbytes Page：269 Pages	DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DRA788ABF	文件：3.91028 Mbytes Page：269 Pages	DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

产品属性

产品编号：
ZTX788BSTOB
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 10mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3，成型引线
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
TRANS PNP 15V 3A E-LINE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	ZTX788BSTOB	Diodes Incorporated	2022+	E-Line(TO-92 兼容)	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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