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BAT754	文件：2.10017 Mbytes Page：10 Pages	Schottkybarrierdiodes 1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits Lowforwardvoltage Lowcapacitance AEC-Q101qualified 1.3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754_SER	文件：2.10017 Mbytes Page：10 Pages	Schottkybarrierdiodes 1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits Lowforwardvoltage Lowcapacitance AEC-Q101qualified 1.3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754A	文件：37.27 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features Ultrahighswitchingspeed Guardringprotected SmallplasticSMDpackage Lowdiodecapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAT754A	文件：47.02 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT23smallplasticSMDpackage.LowforwardvoltageselectionoftheBAT54series.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES •Verylowforwardvoltage •Guardringprotected •Small	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT754A	文件：2.10017 Mbytes Page：10 Pages	Schottkybarrierdiodes 1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits Lowforwardvoltage Lowcapacitance AEC-Q101qualified 1.3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754C	文件：37.27 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features Ultrahighswitchingspeed Guardringprotected SmallplasticSMDpackage Lowdiodecapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAT754C	文件：47.02 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodesencapsulatedinaSOT23smallplasticSMDpackage.LowforwardvoltageselectionoftheBAT54series.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. FEATURES •Verylowforwardvoltage •Guardringprotected •Small	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAT754C	文件：2.10017 Mbytes Page：10 Pages	Schottkybarrierdiodes 1.1Generaldescription PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection, encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 1.2Featuresandbenefits Lowforwardvoltage Lowcapacitance AEC-Q101qualified 1.3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754C-Q	文件：193.94 Kbytes Page：8 Pages	DualSchottkybarrierdiode 1.Generaldescription PlanardualSchottkybarrierdiodewithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulated inasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowforwardvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101and	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAT754L	文件：37.15 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierTripleDiode SchottkyBarrierTripleDiode Features Verylowforwardvoltage Guardringprotected Lowdiodecapacitance ThreeindependentdiodesinasmallplasticSMDpackage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
ZTX754STOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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