N+P沟道增强型场效应晶体管

ZS4606采用N+P沟道增强型功率场效应管，DMOS沟技术。该设备特别适合于低电压应用，如便携式设备，电源管理及其他电池供电电路，低的在线功率损耗，微小的表面贴装封装。 ZS4606

ZASEM

致尚

Binary reduction valve

文件：99.4 Kbytes 页数：1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托（中国）有限公司

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件：1.22669 Mbytes 页数：14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.9A RDS(ON)

文件：3.72956 Mbytes 页数：8 Pages

TUOFENG

拓锋半导体