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ZMS028N03M

30V N-Channel Power MOSFET

It combines advanced SGT MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). • Advance high cell density Trench technology\r\n• Low Gate Charge for fast switching\r\n• Low Thermal resistance;

ZMJSEMI

真茂佳半导体

ZMSC-4-2-S+

SMA

Mini-circuits

ZMY18-GS18

DO-213

VISHAY/威世

ZMY20MTA

SOT223

技术参数

  • Assembly:

    DFN3*3

  • BVDSS Min(V):

    30

  • VGS(V):

    ±20

  • VGs(th)_Typ(V):

    1.7

  • RDS(on)_Max@10v(mΩ):

    3.70

  • RDS(on)_Max@4.5v(mΩ):

    4.50

  • ID_Max@25 ℃(A):

    50

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ZMS028N03M供应商 更新时间2025-11-20 14:01:00