ZM090N03N中文资料30V N-Channel Power MOSFET数据手册ZMJSEMI规格书
ZM090N03N规格书详情
描述 Description
It combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications.
特性 Features
• Advance high cell density Trench technology
• Low RDS(ON) to minimize conductive loss
• Low Gate Charge for fast switching
• Low Thermal resistance
应用 Application
• MB/VGA Vcore
• SMPS 2nd Synchronous Rectifier
• POL application
• BLDC Motor driver
技术参数
- 制造商编号
：ZM090N03N
- 生产厂家
：ZMJSEMI
- Assembly
：DFN5*6
- BVDSS Min(V)
：30
- VGS(V)
：±20
- VGs(th)_Typ（V）
：1.6
- RDS(on)_Max@10v(mΩ)
：12.00
- RDS(on)_Max@4.5v(mΩ)
：18.00
- ID_Max@25 ℃(A)
：40
