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ZM019N03NC

30V N-Channel Power MOSFET

The ZM019N03NC combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for switch and battery protection applications. • Advance high cell density Trench technology\r\n• Low Gate Charge for fast switching\r\n• Low Thermal resistance;

ZMJSEMI

真茂佳

BSB019N03LXG

OptiMOS2 Power-MOSFET

文件:289.38 Kbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

BSZ019N03LS

Material Content Data Sheet

文件:33.7 Kbytes 页数:1 Pages

INFINEON

英飞凌

BSZ019N03LS

n-Channel Power MOSFET

文件:1.42666 Mbytes 页数:11 Pages

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • Assembly:

    DFN5*6

  • BVDSS Min(V):

    30

  • VGS(V):

    ±20

  • VGs(th)_Typ(V):

    1.6

  • RDS(on)_Max@10v(mΩ):

    1.6

  • RDS(on)_Max@4.5v(mΩ):

    2.4

  • ID_Max@25 ℃(A):

    115

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
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DFN5X6
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更多ZM019N03NC供应商 更新时间2026-1-26 14:01:00