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ZM065N06S

60V N-Channel Power MOSFET

The ZM065N06S combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). • Advance high cell density Trench technology\r\n• Low Gate Charge for fast switching\r\n• Low Thermal resistance;

ZMJSEMI

真茂佳半导体

IPB065N06LG

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:445.16 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPB065N06LG

OptiMOS??Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification

文件:420.34 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP065N06LG

OptiMOS??Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification

文件:420.34 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • BVDSS:

    60

  • Channel:

    N

  • Vth(V):

    1.7

  • Rds(on)@10V:

    5.9

  • Rds(on)@4.5V:

    7.5

  • ID(A):

    18

  • Ciss:

    4100

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
SOP-8
986966
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更多ZM065N06S供应商 更新时间2025-12-14 10:00:00