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ZDT1049TA

SM-8 DUAL NPN MEDIUM POWER

DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS PARTMARKING DETAIL - T1049

文件:72.66 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

ZDT1049TA

Package:SOT-223-8;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 描述:TRANS 2NPN 25V 5A SM8

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美台半导体

ZTX1049A

25V NPN SILICON PLANARR MEDIUM POWER TRANSISTOR

Features • BVCEO > 25V • IC = 4A High Continuous Collector Current • ICM = 20A Peak Pulse Current • TJ up to 200°C for High Temperature Operation • Low Saturation Voltage

文件:307.17 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

ZTX1049A

25V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

文件:288.84 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

ZTX1049A

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

Features • BVCEO > 25V • IC = 4A High Continuous Collector Current • ICM = 20A Peak Pulse Current • TJ up to 200°C for High Temperature Operation • Low Saturation Voltage

文件:87.62 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZDT1049TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    5A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    25V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    220mV @ 50mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1A,2V

  • 功率 - 最大值:

    2.75W

  • 频率 - 跃迁:

    180MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-223-8

  • 供应商器件封装:

    SM8

  • 描述:

    TRANS 2NPN 25V 5A SM8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ZDT1049TA供应商 更新时间2026-1-31 15:05:00