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IRFU2605	文件：345.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=19A) VDSS=55V RDS(on)=0.075Ω ID=19A Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquesthatachieveextremelylowon-resistancepersiliconareaandallowelectrostaticdischargeprotectiontobeintegratedinthegatestructure.Thesebe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
K2605	文件：416.22 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
KA2605	文件：160.11 Kbytes Page：4 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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更多YS2605BB供应商更新时间2024-5-29 16:16:00

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