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YJQ53G06A

丝印:Q35G06;Package:DFN3333;N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:554.32 Kbytes 页数:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

YJQ53G06A

SGT MOS

YJ

益嘉源

YJG53G06A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:582.57 Kbytes 页数:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Gross Die:

    6500

  • N/P:

    N

  • VDSS (V):

    60

  • ID (A):

    53

  • PD (W):

    70

  • VGS (V):

    ±20

  • VTH (V):

    1.7

  • Rdson @VGS10V (mΩ) Typ:

    6.8

  • Rdson @VGS10V (mΩ) Max:

    8.2

  • Rdson @VGS4.5V (mΩ) Typ:

    9.5

  • Rdson @VGS4.5V (mΩ) Max:

    12

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
986966
国产
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扬杰科技
21+
DFN3333
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YANGJIE
22+
SOT-23-6L
20000
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YANGJIE/扬杰科技
24+
SOP-8
60000
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更多YJQ53G06A供应商 更新时间2026-2-9 14:01:00