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Y2N655S数据手册SiliconBillion中文资料规格书

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厂商型号

Y2N655S

功能描述

场效应管(MOSFET)

制造商

SiliconBillion Xiamen silicon-top opto electronics Co.,ltd

中文名称

硅兆光电科技 厦门市硅兆光电科技有限公司

原厂标识
SiliconBillion
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:13:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :Y2N655S

  • 生产厂家

    :SiliconBillion

  • 漏源电压(Vdss)

    :60V

  • 连续漏极电流(Id)

    :16.2A

  • 功率(Pd)

    :31.3W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id)

    :1.8V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs)

    :6nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :300pF@30V

  • 反向传输电容(Crss@Vds)

    :18pF@30V

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

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