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Y2N655S

丝印:655;Package:SOP-8;60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)

SILICON-TOPXiamen silicon-top opto electronics Co.,ltd

硅兆光电科技厦门市硅兆光电科技有限公司

SILICON-TOP

Y2N655S

场效应管(MOSFET)

SiliconBillionXiamen silicon-top opto electronics Co.,ltd

硅兆光电科技厦门市硅兆光电科技有限公司

SiliconBillion

2N655

GERMABIUMPNPMESATRANSISTORS

GERMABIUMPNPMESATRANSISTORS GERMABIUMPNPSMALLSIGNALTRANSISTORS

AMMSEMIAmerican Microsemiconductor

美国微半导体有限公司

AMMSEMI

2N655

GEPNPLO-PWRBJT

GERMANIUMPNPSMALLSIGNALTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N655

alloy-junctiongermaniumtransistors

[INTEX/SEMITRONICSCORP] alloy-junctiongermaniumtransistors

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    60V

  • 连续漏极电流(Id):

    16.2A

  • 功率(Pd):

    31.3W

  • 阈值电压(Vgs(th)@Id):

    1.8V@250uA

  • 栅极电荷(Qg@Vgs):

    6nC@10V

  • 输入电容(Ciss@Vds):

    300pF@30V

  • 反向传输电容(Crss@Vds):

    18pF@30V

  • 工作温度:

    -55℃~+150℃@(Tj)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多Y2N655S供应商 更新时间2025-8-1 16:37:00