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XPJR6604PB中文资料东芝数据手册PDF规格书

XPJR6604PB
厂商型号

XPJR6604PB

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

丝印标识

K4M

封装外壳

S-TOGL

文件大小

803.15 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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XPJR6604PB规格书详情

Applications

• Automotive

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers

• DC-DC Converters

Features

(1) AEC-Q101 qualified

(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.53 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

(4) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

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