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XP162A11C0PR	文件：52.85 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS FET 文件：52.85 Kbytes 页数：4 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A11C0PR	文件：428.4 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：428.4 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A11C0PR	文件：315.93 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：315.93 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A11C0PR-TP	文件：2.19799 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET Application « PWM applications » Load switch « Power management 文件：2.19799 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
XP162A11C0PR_1	文件：428.4 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：428.4 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A11C0PR_12	文件：315.93 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：315.93 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A11C0PR-12	文件：315.93 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：315.93 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A11C0PR-G	文件：315.93 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：315.93 Kbytes 页数：5 Pages	TOREX 特瑞仕	TOREX
XP162A11C0PR	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V -2.5A P沟道功率MOS FET The XP162A11C0PR is an P-channel Power MOSFET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics. \n\n Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. \n\n In order to counter static, a gate protect diode is built-in.	Torex 特瑞仕	Torex
XP162A11C0PR-TP	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管（MOSFEET)	Techpublic 台舟电子	Techpublic

技术参数

封装尺寸(㎜)：
4.5 x 4.0 x 1.6
样品订购：
样品订购
沟道：
Pch
Vdss_(V)：
-30
Vgss_(V)：
±20
Id_(A)：
-2.50
Rds(ON)_Vgs=4.5V_Max(Ω)：
0.280
Rds(ON)_Vgs=10V_Max(Ω)：
0.150
驱动电压_(V)：
-4.5
Vgs(off)_Min_(V)：
-1.00
Vgs(off)_Max_(V)：
-2.5
Ciss_(pF)：
280.0
分类：
普通用途
Tj_(℃)：
-55 to +150

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