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BSS192	文件：64.26 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT89package. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS •Linecurrentinterrupterintelephonesets •Relay,high-speedandlinetransformer	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS192	文件：372.5 Kbytes Page：16 Pages	240V,P-channelverticalD-MOStransistor 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeverticalDouble-DiffusedField-EffectTransistor(DMOSFET) inaSOT89(SC-62)mediumpowerandflatleadSurfaceMountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •DirectinterfacetoComplementary(C-MOS)transitorandTransisto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS192P	文件：79.38 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS192P	文件：301.17 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
C192	文件：580.55 Kbytes Page：40 Pages	MILITARYSPECIFCATIONSONBACK	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C192	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C192C-K-G	文件：580.55 Kbytes Page：40 Pages	MILITARYSPECIFCATIONSONBACK	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C192C-K-G	文件：935.35 Kbytes Page：14 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED Multilayerceramiccapacitorsareavailableinavarietyofphysicalsizesandconfigurations,includingleadeddevicesandsurfacemountedchips.Leadedstylesincludemoldedandconformallycoatedpartswithaxialandradialleads.However	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C192C-K-G	文件：971.77 Kbytes Page：16 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C192C-K-G	文件：1.07076 Mbytes Page：14 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET

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