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XL1000-BD	文件：268.16 Kbytes Page：7 Pages	20.0-40.0 GHz GaAs MMIC Low Noise Amplifier General Description Mimix Broadband’s three stage 20.0-40.0 GHz GaAs MMIC low noise amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a noise figure of 2.0 dB across the band. This MMIC uses Mimix Broadband’s GaAs PHEMT device model technology, and is based upon electron beam lithography to ens 文件：268.16 Kbytes 页数：7 Pages	MIMIX	MIMIX
XL1000-BD	文件：1.50538 Mbytes Page：7 Pages	20.0-40.0 GHz GaAs MMIC 文件：1.50538 Mbytes 页数：7 Pages	MIMIX	MIMIX
XL1000-BD	文件：883.75 Kbytes Page：9 Pages	Low Noise Amplifier 文件：883.75 Kbytes 页数：9 Pages	MA-COM	MA-COM
XL1000-BD-000V	文件：268.16 Kbytes Page：7 Pages	20.0-40.0 GHz GaAs MMIC Low Noise Amplifier General Description Mimix Broadband’s three stage 20.0-40.0 GHz GaAs MMIC low noise amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a noise figure of 2.0 dB across the band. This MMIC uses Mimix Broadband’s GaAs PHEMT device model technology, and is based upon electron beam lithography to ens 文件：268.16 Kbytes 页数：7 Pages	MIMIX	MIMIX
XL1000-BD-EV1	文件：268.16 Kbytes Page：7 Pages	20.0-40.0 GHz GaAs MMIC Low Noise Amplifier General Description Mimix Broadband’s three stage 20.0-40.0 GHz GaAs MMIC low noise amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a noise figure of 2.0 dB across the band. This MMIC uses Mimix Broadband’s GaAs PHEMT device model technology, and is based upon electron beam lithography to ens 文件：268.16 Kbytes 页数：7 Pages	MIMIX	MIMIX
XL1000-BD_10	文件：1.50538 Mbytes Page：7 Pages	20.0-40.0 GHz GaAs MMIC 文件：1.50538 Mbytes 页数：7 Pages	MIMIX	MIMIX
XL1000-BD_15	文件：898.93 Kbytes Page：10 Pages	Low Noise Amplifier 文件：898.93 Kbytes 页数：10 Pages	MA-COM	MA-COM
XL1000-BD-000V	文件：898.93 Kbytes Page：10 Pages	Low Noise Amplifier 文件：898.93 Kbytes 页数：10 Pages	MA-COM	MA-COM
XL1000-BD-EV1	文件：898.93 Kbytes Page：10 Pages	Low Noise Amplifier 文件：898.93 Kbytes 页数：10 Pages	MA-COM	MA-COM
XL1000-BD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Noise Amplifier MACOM's three stage 20.0-40.0 GHz GaAs MMIC low noise amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a noise figure of 2.0 dB across the band. This MMIC uses MACOM’s GaAs PHEMT device model technology, and is based upon electron beam lithography to ensure high repeatability and uniformity. The ch ·Self Bias Architecture\n·RoHS* Compliant\n·100% Visual Inspection to MIL-STD-883 Method 2010\n·100% On-Wafer RF, DC and Noise Figure Testing\n·+9.0 dBm P1dB Compression Point\n·2.0 dB Noise Figure\n·20.0 dB Small Signal Gain\n·3.0 or 5.0 V Operation\n·Small Size\n·260°C Reflow Compatible;	MACOM	MACOM

技术参数

Min Frequency(MHz)：
20000
Max Frequency(MHz)：
40000
Gain(dB)：
20.0
Output P1dB(dBm)：
9.00
OIP3(dBm)：
16.0
Bias Current(mA)：
35
NF(dB)：
2.0
Package：
DIE
Package Category：
Die/Bumped Die

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更多XL1000-BD供应商更新时间2026-2-1 14:26:00

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