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BCR512	文件：114.04 Kbytes Page：4 Pages	丝印：XFs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Built in bias resistor (R1= 4.7 kΩ, R2= 4.7 kΩ) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：114.04 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR512	文件：138.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：XFs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor 文件：138.58 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR512	文件：531.6 Kbytes Page：6 Pages	丝印：XFs；Package：SOT23；NPN Silicon Digital Transistor 文件：531.6 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
XFS1MDR1605-100M	文件：55.16 Kbytes Page：1 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：55.16 Kbytes 页数：1 Pages	XFMRS	XFMRS
XFS1MDR1605-100M	文件：55.16 Kbytes Page：1 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：55.16 Kbytes 页数：1 Pages	XFMRS	XFMRS
XFS1MDR1605-100M_15	文件：55.16 Kbytes Page：1 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：55.16 Kbytes 页数：1 Pages	XFMRS	XFMRS
XFS1MDR1605-220M	文件：55.38 Kbytes Page：1 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：55.38 Kbytes 页数：1 Pages	XFMRS	XFMRS
XFS1MDR1605-220M	文件：55.38 Kbytes Page：1 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：55.38 Kbytes 页数：1 Pages	XFMRS	XFMRS
XFS1MDR1605-220M_15	文件：55.38 Kbytes Page：1 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：55.38 Kbytes 页数：1 Pages	XFMRS	XFMRS
XFS1MDR1605-6R8M	文件：55.53 Kbytes Page：1 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：55.53 Kbytes 页数：1 Pages	XFMRS	XFMRS

技术参数

hFEmin：
60
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
330 mW
R1 / R2：
1
R1：
4.7 kΩ
R2：
4.7 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
10 V
Vi (off) max：
1.5 100µA / 5V
Vi (on)max：
1 V
Vi (on)min：
1 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
NPN (Single)

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