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X3C19P1-03S

Airfast RF Power GaN Transistor

1 General description This 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1930 to 1995 MHz. This part is characterized and performance is guaranteed for ap

文件:491.07 Kbytes 页数:15 Pages

恩XP

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X3C19P1-03S

Hybrid Coupler 3 dB, 90

文件:2.20464 Mbytes 页数:26 Pages

ANAREN

X3C19P1-03S

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:555.89 Kbytes 页数:21 Pages

恩XP

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X3C19P1-03S

RF Power GaN Transistor

文件:221.31 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

恩XP

X3C19P1-03S

90度混合式耦合器 3dB

TTM

迅达科技

X3C19P1-03S

Package:2520(6450 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID RF 定向耦合器 描述:RF DIR COUPLER 1.4GHZ-2GHZ SMD

TTM

迅达科技

产品属性

  • 产品编号:

    X3C19P1-03S

  • 制造商:

    TTM Technologies, Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > RF 定向耦合器

  • 系列:

    Xinger III®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 耦合器类型:

    标准

  • 频率:

    1.4GHz ~ 2GHz

  • 耦合系数:

    3dB

  • 应用:

    DCS,LTE,PCS,WCDMA

  • 插损:

    0.22dB

  • 功率 - 最大值:

    90W

  • 隔离:

    23dB

  • 回波损耗:

    24.9dB

  • 封装/外壳:

    2520(6450 公制)

  • 供应商器件封装:

    SMD

  • 描述:

    RF DIR COUPLER 1.4GHZ-2GHZ SMD

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更多X3C19P1-03S供应商 更新时间2026-4-18 9:38:00