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X3C25P1-02S	文件：388.24 Kbytes Page：16 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Features AdvancedHighPerformanceIn--PackageDoherty GreaterNegativeGate--SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems	ETC	ETC
X3C25P1-02S	文件：957.36 Kbytes Page：18 Pages	Tight Amplitude Balance	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
X3C25P1-02S	文件：690.68 Kbytes Page：8 Pages	RF Power LDMOS Transistor	ETC	ETC
X3C25P1-02S	文件：300 bytes Page：1 Pages	定向耦合器 2dB - 5dB;	TTMTTM Technologies, Inc. 迅达科技迅达科技集团公司	TTM
X3C25P1-02S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，无引线；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 定向耦合器描述：RF DIR COUPLER 2.3GHZ-2.7GHZ SMD	TTMTTM Technologies, Inc. 迅达科技迅达科技集团公司	TTM

产品属性

产品编号：
X3C25P1-02S
制造商：
TTM Technologies, Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 定向耦合器
系列：
Xinger III®
包装：
卷带（TR）
耦合器类型：
标准
频率：
2.3GHz ~ 2.7GHz
应用：
通用
插损：
0.18dB
功率 - 最大值：
70W
隔离：
23dB
封装/外壳：
4-SMD，无引线
描述：
RF DIR COUPLER 2.3GHZ-2.7GHZ SMD

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更多X3C25P1-02S供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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