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X3C09P1-03S

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

The A2I09VD030N wideband integrated circuit is designed with on−chip matching that makes it usable from 575 to 1300 MHz. This multi−stage structure is rated for 48 to 55 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats. Features • On−chip matching (50 ohm input, D

文件:491.92 Kbytes 页数:23 Pages

恩XP

恩XP

X3C09P1-03S

Hybrid Coupler

文件:887.31 Kbytes 页数:26 Pages

ANAREN

X3C09P1-03S

Hybrid Coupler 3 dB, 90

文件:2.20464 Mbytes 页数:26 Pages

ANAREN

X3C09P1-03S

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:319.31 Kbytes 页数:13 Pages

恩XP

恩XP

X3C09P1-03S

90度混合式耦合器 3dB

TTM

迅达科技

X3C09P1-03S

Package:2520(6450 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID RF 定向耦合器 描述:RF DIR COUPLER 800MHZ-1GHZ 4SMD

TTM

迅达科技

产品属性

  • 产品编号:

    X3C09P1-03S

  • 制造商:

    TTM Technologies, Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > RF 定向耦合器

  • 系列:

    Xinger III®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 耦合器类型:

    标准

  • 频率:

    800MHz ~ 1GHz

  • 耦合系数:

    3dB

  • 应用:

    AMPS,CDMA,WCDMA

  • 插损:

    0.22dB

  • 功率 - 最大值:

    90W

  • 隔离:

    23dB

  • 回波损耗:

    24.9dB

  • 封装/外壳:

    2520(6450 公制)

  • 供应商器件封装:

    4-SMD

  • 描述:

    RF DIR COUPLER 800MHZ-1GHZ 4SMD

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更多X3C09P1-03S供应商 更新时间2025-10-11 16:04:00