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X3C09F1-03S	文件：362.83 Kbytes Page：20 Pages	RF Power LDMOS Transistor N−ChannelEnhancement−ModeLateralMOSFET This2WRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof728to960MHz. Features •Greaternegativegate−sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation •On−chipmatching(50ohmin	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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X3C09F1-03S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：4-SMD，无引线类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 定向耦合器描述：RF DIR COUPLER 800MHZ-1GHZ SMD	TTM Technologies, Inc. TTM Technologies, Inc.	TTM Technologies, Inc.

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X3C09F1-03S

文件：362.83 Kbytes

Page：20 Pages

RF Power LDMOS Transistor

N−ChannelEnhancement−ModeLateralMOSFET This2WRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof728to960MHz. Features •Greaternegativegate−sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation •On−chipmatching(50ohmin

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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X3C09F1-03S

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Page：18 Pages

AMPS, GSM, WCDMA & LTE

ANARENAnaren

安伦

ANAREN

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Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：4-SMD，无引线类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 定向耦合器描述：RF DIR COUPLER 800MHZ-1GHZ SMD

TTM Technologies, Inc.

产品属性

产品编号：
X3C09F1-03S
制造商：
TTM Technologies, Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 定向耦合器
系列：
Xinger III®
包装：
卷带（TR）
耦合器类型：
标准
频率：
800MHz ~ 1GHz
应用：
通用
插损：
0.16dB
功率 - 最大值：
25W
隔离：
26dB
封装/外壳：
4-SMD，无引线
描述：
RF DIR COUPLER 800MHZ-1GHZ SMD

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