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AA-2317XT

InsulKrimp??FullyInsulatedPiggybackQuickDisconnect

MOLEX4Molex Electronics Ltd.

莫仕

AM2317

MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION TheAM2317isavailableinSOT-23package. FEATURES -20V/-4.6A, RDS(ON)=48mΩ(Max.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=70mΩ(Max.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=110mΩ(Max.)@VGS=-1.8V ReliableandRugged AvailableinSOT-23Package APPLICATIONS PowerManagementinNotebookComputer,P

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AM2317A

MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

DESCRIPTION AM2317AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtrenchtechnologydevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications,lowin-linepowerlossareneededinsmalloutlinesurfacemountpackage.

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AM2317B

MOSFET-20VSINGLEP-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION V DS20V V GS=±8V ID(A)= 5.3A R DS(ON)ON)=31mΩ(Typ.)@VGS4.5V R DS(ON)ON)=40mΩ(Typ.)@VGS2.5V R DS(ON)50mΩ(Typ.)@VGS1.8V R DS(ON)60mΩ(Typ.)@VGS1.5V TheAM2317BisavailableinSOT-23package. FEATURES TrechDMOSTechnology 1.5VLowgatedri

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AM2317P

P-ChannelLogicLevelMOSFET

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeahighcelldensitytrenchprocesstoprovidelowrDS(on)andtoensureminimalpowerlossandheatdissipation.TypicalapplicationsareDC-DCconvertersandpowermanagementinportableandbattery-poweredproductssuchascomputers,printers,PCMCIA

AnalogPower

Analog Power

AN2317

EnergyMeteringICExternalCircuits

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

AP2317

600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR

BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited

新进半导体上海新进半导体制造有限公司

AP2317

600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR

BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited

新进半导体上海新进半导体制造有限公司

AP2317GN-HF

SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

AP2317H-ADJ

600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR

BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited

新进半导体上海新进半导体制造有限公司

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更多X2317A供应商 更新时间2025-7-29 17:22:00