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HMN1288D	文件：494.61 Kbytes Page：7 Pages	Non-VolatileSRAMMODULE1Mbit(128Kx8-Bit),32Pin-DIP,5V	DLGHANBIT DLG Hanbit co.,Ltd.	DLGHANBIT
HMN1288D	文件：172.01 Kbytes Page：9 Pages	Non-VolatileSRAMMODULE1Mbit(128Kx8-Bit),32Pin-DIP,5V GENERALDESCRIPTION TheHMN1288DNonvolatileSRAMisa1,048,576-bitstaticRAMorganizedas131,072bytesby8bits.TheHMN1288Dhasaself-containedlithiumenergysourceprovidereliablenon-volatilitycoupledwiththeunlimitedwritecyclesofstandardSRAMandintegralcontrolcircuitry,wh	HANBIT Hanbit Electronics Co.,Ltd	HANBIT
HMN1288DV	文件：491.98 Kbytes Page：7 Pages	Non-VolatileSRAMModule1Mbit(128Kx8-Bit),32Pin-DIP,3.3V	DLGHANBIT DLG Hanbit co.,Ltd.	DLGHANBIT
HMN1288DV	文件：98.62 Kbytes Page：9 Pages	Non-VolatileSRAMModule1Mbit(128Kx8-Bit),32Pin-DIP,3.3V GENERALDESCRIPTION TheHMN1288DVNonvolatileSRAMisa1,048,576-bitstaticRAMorganizedas131,072bytesby8bits.TheHMN1288DVhasaself-containedlithiumenergysourceprovidereliablenon-volatilitycoupledwiththeunlimitedwritecyclesofstandardSRAMandintegralcontrolcircuitry,	HANBIT Hanbit Electronics Co.,Ltd	HANBIT
HMN1288J	文件：158.83 Kbytes Page：8 Pages	Non-VolatileSRAMMODULE1Mbit(128Kx8-Bit),34Pin-JLCC,5V [HANBIT] GENERALDESCRIPTION TheHMN1288JNonvolatileSRAMisa1,048,576-bitstaticRAMorganizedas131,072bytesby8bits. FEATURES ♦Accesstime:55,70ns ♦High-densitydesign:4MbitDesign ♦Batteryinternallyisolateduntilpowerisapplied ♦Industry-standard34-pin128Kx8pin	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
HMNR1288D	文件：315.84 Kbytes Page：14 Pages	5.0or3.3V,1Mbit(128Kbitx8)TIMEKEEPERNVSRAM	HANBIT Hanbit Electronics Co.,Ltd	HANBIT
HMNR1288D	文件：727.15 Kbytes Page：11 Pages	5.0or3.3V,1Mbit(128Kbitx8)TIMEKEEPERNVSRAM	DLGHANBIT DLG Hanbit co.,Ltd.	DLGHANBIT
HMNR1288DV	文件：727.15 Kbytes Page：11 Pages	5.0or3.3V,1Mbit(128Kbitx8)TIMEKEEPERNVSRAM	DLGHANBIT DLG Hanbit co.,Ltd.	DLGHANBIT
HMNR1288V	文件：315.84 Kbytes Page：14 Pages	5.0or3.3V,1Mbit(128Kbitx8)TIMEKEEPERNVSRAM	HANBIT Hanbit Electronics Co.,Ltd	HANBIT
ISFM1288	文件：524.9 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12.5Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·BatteryChargers ·DCChoppers ·PowerFactorCorrection(PFC) ·DC-DCConverters ·HighSpeedPowerSwitchingApplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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