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AO3401A	文件：127.1 Kbytes Page：4 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3401A/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or other general applications. AO3401A and AO3401AL are electrically identical. -RoHS Comp 文件：127.1 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A	文件：496.27 Kbytes Page：5 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET 文件：496.27 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3401A	文件：242.15 Kbytes Page：5 Pages	丝印：X1**；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET 文件：242.15 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
X1**
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -4.3A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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