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PESD3V3S2UT	文件：502.1 Kbytes Page：4 Pages	丝印：WU9；Package：SOT-23；350 W peak pulse power (tp = 8/20μs) Features 350 W peak pulse power (tp = 8/20μs) Bidirectional and unidirectionalconfigurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 20A(8/20μs） Applic 文件：502.1 Kbytes 页数：4 Pages	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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深圳市航润创能电子集团有限公司	PESD3V3S2UT	恩XP	16+	SOT-23	116785	原盘原标假一罚十	询价
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	PESD3V3S2UT	恩XP	24+	SOT-23	39500		询价
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更多WU9供应商更新时间2025-9-14 14:02:00