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ACT2801CQL-T	文件：614.48 Kbytes Page：23 Pages	5V/1.5ABackupBatteryPackManager	ACTIVE-SEMIActive-Semi, Inc 技领半导体技领半导体（上海）有限公司	ACTIVE-SEMI
AON2801	文件：176.93 Kbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON2801/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. AON2801andAON2801Lareelectricallyidentical. -RoHSCompli	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON2801	文件：2.37598 Mbytes Page：4 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application\| «ReverseBatteryprotection «Loadswitch «Powermanagement «MotorControl\| «PortablePowerAdaptors	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
APM2801B	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2801BC-TR	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
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APM2801BC-TU	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2801BC-TUL	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFETwithSchottkyDiode Features MOSFET ●-20V/-1.5A, RDS(ON)=145mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.)@VGS=-2.5V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) SBD ●LowForwardVoltage Applications ●PowerManagementinNotebookComputer, PortableE	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
ASIKV2801	文件：16.97 Kbytes Page：1 Pages	SILICONHYPERABRUPTTUNINGVARACTOR	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CFS2801	文件：151.7 Kbytes Page：1 Pages	WIREWOUNDCOMMONMODEFILTERS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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