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AON2801	文件：176.93 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON2801/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AON2801 and AON2801L are electrically identical. -RoHS Compli 文件：176.93 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON2801	文件：2.37598 Mbytes Page：4 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Application \| « Reverse Battery protection « Load switch « Power management « Motor Control \| « Portable Power Adaptors 文件：2.37598 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AON2801	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
APM2801B	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features MOSFET ● -20V/-1.5A , RDS(ON)=145mW(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.) @ VGS=-2.5V ● Super High Dense Cell Design ● Reliable and Rugged ● Lead Free Available (RoHS Compliant) SBD ● Low Forward Voltage Applications ● Power Management in Notebook Computer, Portable E 文件：607.21 Kbytes 页数：11 Pages	ANPEC 茂达电子	ANPEC
APM2801BC-TR	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features MOSFET ● -20V/-1.5A , RDS(ON)=145mW(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.) @ VGS=-2.5V ● Super High Dense Cell Design ● Reliable and Rugged ● Lead Free Available (RoHS Compliant) SBD ● Low Forward Voltage Applications ● Power Management in Notebook Computer, Portable E 文件：607.21 Kbytes 页数：11 Pages	ANPEC 茂达电子	ANPEC
APM2801BC-TRL	文件：607.21 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode Features MOSFET ● -20V/-1.5A , RDS(ON)=145mW(typ.) @ VGS=-4.5V RDS(ON)=180mW(typ.) @ VGS=-2.5V ● Super High Dense Cell Design ● Reliable and Rugged ● Lead Free Available (RoHS Compliant) SBD ● Low Forward Voltage Applications ● Power Management in Notebook Computer, Portable E 文件：607.21 Kbytes 页数：11 Pages	ANPEC 茂达电子	ANPEC

技术参数

Package：
DFN2x2-6L
Configuration：
Dual
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
4.5V：
120
2.5V：
160
1.8V：
200
ID @ 25°C (A)：
-3
PD @ 25°C (W)：
1.10
Qg (4.5V)(nC)：
5
VGS(th) max (V)：
-1
Ciss (pF)：
540
Coss (pF)：
90
Crss (pF)：
63
Qgd (nC)：
1
tD(on) (ns)：
5
tD(off) (ns)：
28.50
Trr (ns)：
21
Qrr (nC)：
9.10
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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