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A12P10C	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A12P10G	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A12P10SS	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
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CEB12P10	文件：893.13 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-11A,RDS(ON)=315mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED12P10	文件：162.1 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-9A,RDS(ON)=315mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED12P10	文件：969.11 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-9A,RDS(ON)=315mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP12P10	文件：102.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-100V,-11A,RDS(ON)=315mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP12P10	文件：893.13 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -100V,-11A,RDS(ON)=315mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU12P10	文件：263.94 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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技术参数

Package：
SMB
Peak Pulse Power Ppp(W)：
1000
Reverse Stand off Voltage VRWM(V)：
12
MIN VBR (Volts)@IT：
13.3
MAX VBR (Volts)@IT：
14.7
Test Current IT(mA)：
1.0
Maximum Clamping Voltage Vc@Ipp(V)：
19.9
Maximum Peak Pulse Current Ipp(A)：
50.25
Maximum Reverse Leakage IR @VRWM(μA)：
1.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	WS12P4	WAY-ON	24+	SOD123	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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