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WS110P10SMB-B	文件：300 bytes Page：1 Pages	1000W SMD Power TVS;	WayonWayon Electronics Co.,Ltd. 维安上海维安电子有限公司	Wayon
ET110P10-Z	文件：2.77001 Mbytes Page：14 Pages	StandardSizeToggleSwitch	COPALCopal Electronics 尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司	COPAL
TK110P10PL	文件：565.24 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=9.3nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=32nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=8.9mΩ(typ.)(VGS=10V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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WS110P10SMB-B

文件：300 bytes

Page：1 Pages

1000W SMD Power TVS;

WayonWayon Electronics Co.,Ltd.

维安上海维安电子有限公司

Wayon

ET110P10-Z

文件：2.77001 Mbytes

Page：14 Pages

StandardSizeToggleSwitch

COPALCopal Electronics

尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司

COPAL

TK110P10PL

文件：565.24 Kbytes

Page：8 Pages

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=9.3nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=32nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=8.9mΩ(typ.)(VGS=10V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

技术参数

Package：
SMB
Peak Pulse Power Ppp(W)：
1000
Reverse Stand off Voltage VRWM(V)：
110
MIN VBR (Volts)@IT：
122
MAX VBR (Volts)@IT：
135
Test Current IT(mA)：
1.0
Maximum Clamping Voltage Vc@Ipp(V)：
177
Maximum Peak Pulse Current Ipp(A)：
5.65
Maximum Reverse Leakage IR @VRWM(μA)：
1.0

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