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WNSC6D06650T

碳化硅二极管; • New 6th Generation Technology• Low Forward Voltage Drop• Low Reverse Leakage Current• High Forward Surge Capability IFSM• Reduced Losses in Associated MOSFET• Reduced EMI• Reduced Cooling Requirements• RoHS Compliant;

WeEnWeEn Semiconductors

瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

WNSC6D06650

SiliconCarbideDiode

WEENWeEn Semiconductors

瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

WNSC6D06650Q

SiliconCarbideDiode

WEENWeEn Semiconductors

瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

技术参数

  • Package name:

    DFN8*8

  • IF(AV) [max]:

    6

  • Tj ℃ [max]:

    175

  • VRRM [max]:

    650

  • Qr [typ]:

    13.5

  • VF [typ] @ Tj = 25 °C:

    1.26

  • @ IF:

    6

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更多WNSC6D06650T供应商 更新时间2025-7-28 11:06:00