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WNSC6D04650	文件：431.69 Kbytes Page：11 Pages	丝印：WNSC6D04650；Package：TO220-2L；Silicon Carbide Diode 文件：431.69 Kbytes 页数：11 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
WNSC6D04650	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅二极管 • New 6th Generation Technology• Low Forward Voltage Drop• Low Reverse Leakage Current• High Forward Surge Capability IFSM• Reduced Losses in Associated MOSFET• Reduced EMI• Reduced Cooling Requirements• RoHS Compliant;	WeEn 瑞能半导体	WeEn
WNSC6D04650Q	文件：431.69 Kbytes Page：11 Pages	Silicon Carbide Diode 文件：431.69 Kbytes 页数：11 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
WNSC6D04650D	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅二极管 • New 6th Generation Technology• Low Forward Voltage Drop• Low Reverse Leakage Current• High Forward Surge Capability IFSM• Reduced Losses in Associated MOSFET• Reduced EMI• Reduced Cooling Requirements• RoHS Compliant;	WeEn 瑞能半导体	WeEn
WNSC6D04650Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I	WEEN 瑞能半导体	WEEN

更多WNSC6D04650供应商更新时间2025-10-4 11:06:00