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WNSC5D08650T

碳化硅二极管

• Highly stable switching performance\n• Extremely fast reverse recovery time\n• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives\n• Reduced losses in associated MOSFET\n• Reduced EMI\n• Reduced cooling requirements\n• RoHS compliant;

WeEn

瑞能半导体

WNSC6D01650MB

WEEN
DO-214AASM

WEEN

瑞能半导体

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

技术参数

  • Package name:

    DFN8*8

  • IF(AV) [max]:

    8

  • Tj ℃ [max]:

    175

  • VRRM [max]:

    650

  • Qr [typ]:

    12

  • VF [typ] @ Tj = 25 °C:

    1.45

  • @ IF:

    8

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更多WNSC5D08650T供应商 更新时间2025-10-5 17:02:00