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WMS30N034V

LV N MOSFETs

• Advance High Cell Density Trench Technology\n• Low Capacitance to Minimize Switching Losses\n• 100% UIS Tested\n• RoHS Compliant, Halogen Free\n;

WeEn

瑞能半导体

技术参数

  • VDS (V):

    30

  • VGS (±V):

    20

  • ID(A)@ 25℃:

    105

  • RDS(ON) (mΩ max) @ VGS= 10V:

    3.4

  • RDS(ON) (mΩ max) @ VGS= 4.5V:

    6

  • QG(tot) (nC):

    74

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
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更多WMS30N034V供应商 更新时间2025-10-7 10:01:00