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WMP10N70C4

Wayon Super Junction MOSFET 700V

junction MOSFET family that\n\nbalance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. WMOSTM C4 is\n\nsuitable for applications which require power density and outstanding efficiency. • VDS =750V @ Tj,max\n• 100% UIS tested\n• Pb-free plating, Halogen free;

WAYON

维安

WMP11N80C2

Power MOSFET-Super Junction MOSFET 800V

采用先进的超结技术和优化的设计结构,相比传统的高压VDMOS,新一代Wayon WMOSTM C2 系列产品具有极低的特征导通电阻。C2系列的FOM (RDS(on)*Qg)较C1系列降低38%,有助于提升开关电源的效率及功率密度。相比传统VDMOS,500V-900V WMOSTM C2系列产品具有更好的性价比。

Wayon

维安

WMP11N80M3

N-Channel SJ-MOS M3

长园维安800V M3系列Mosfet产品 采用了领先的器件设计技术 使之具有极低的栅极电荷 极大地提高了开关电源的工作效率 尤其适用于高频及高功率密度电路

WAYON

维安

WMP1E

PatchLink ??Horizontal Cable Managers

文件:838.34 Kbytes 页数:2 Pages

PANDUIT

WMP1E

包装:散装 类别:盒子,外壳,机架 机架配件 描述:CABLE MANAGER HORIZ W/COVER 2ROW

PANDUIT

WMP1E-KIT

包装:散装 类别:盒子,外壳,机架 机架配件 描述:WMP1E REPLACEMENT COVER KIT

PANDUIT

WMP1E-KIT

包装:零售封装 类别:盒子,外壳,机架 机架配件 描述:WMP1E REPLACEMENT COVER KIT

PANDUIT

技术参数

  • Package:

    TO-251

  • VDS (V):

    800

  • RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.):

    0.8

  • ID (A)@TA=25℃:

    10.5

  • PD (W) @TA=25℃:

    85

  • VGS (V):

    30

  • VGS(th) (V) (Typ.):

    3.3

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更多WMP1供应商 更新时间2026-3-10 15:14:00