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CEU04N65	文件：386.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,3.2A,RDS(ON)=2.8Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU04N65	文件：1.28974 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU04N65	文件：472.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU04N65A	文件：479.27 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,3.1A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CJB04N65	文件：388.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJB04N65A	文件：539.25 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJD04N65	文件：1.06266 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJD04N65	文件：835.02 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJD04N65A	文件：579.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

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