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AP04N70BF-A	文件：1.03353 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel700V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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AP04N70BF-H	文件：72.05 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP04N70BI	文件：69.55 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP04N70BI	文件：1.03345 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel700V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP04N70BI-A	文件：1.03343 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel700V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP04N70BI-A	文件：111.28 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP04N70BI-A-HF	文件：1.06921 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP04N70BI-A-HF	文件：1.0344 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel700V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

技术参数

Package：
TO-251S3
VDS(V)：
700
RDS(on) (Ω)@VGS=10V(max.)：
2.7
ID (A)@TA=25℃：
4
PD (W)@TA=25℃：
77
Qg (nC)：
10.34
VGS (V)：
30
VGS(th)(V) (Typ.)：
3
Product Status：
MP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	WMG07N60DM	CYGWAYON	23+	TO-251S3	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	WM-G-AT-02-4293	USI	24+	SMD	60000	全新原装现货	询价
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