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WM02N50M

N-Channel Trench MOSFET

Wayon

维安

WM02N50M2

N-Channel Trench MOSFET

Wayon

维安

02N50

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:141.36 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

IXTP02N50D

High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

Features ● Normally ON mode ● Low RDS(on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Fast switching speed Applications ● Level shifting ● Triggers ● Solid state relays ● Current regulators

文件:93.27 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTP02N50D

High Voltage Power MOSFET

文件:213.74 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • VDS(V):

    20

  • Vgs Max(V):

    ±8

  • ID(A)@TA=25℃(Max.):

    5

  • VGS(th)(V)(Min.):

    0.45

  • VGS(th)(V)(Max.):

    1

  • Rds(on)mΩ@VGS=10V(Typ.):

    /

  • Rds(on)mΩ@VGS=10V(Max.):

    /

  • Rds(on)mΩ@VGS=4.5V(Typ.):

    16

  • Rds(on)mΩ@VGS=4.5V(Max.):

    24

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
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73000
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UDFN2020-6L
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更多WM02N50M供应商 更新时间2026-1-21 11:06:00