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CTNS-6606S	文件：437.92 Kbytes Page：7 Pages	FastRecoveryandHighPowerDiode Features TheCTNS-6606Sisahighpowerdiodeofthelow-noiseandlowlosswhichrealizeapeakreversevoltageof600V.Typicalforwardvoltagedropof1.15Visrealizedbyoptimizingtherelationshipoftrade-offbetweenVFandtrr.IthasthecharacteristicssuitforPFCcircuitofDCMand	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
CTXS-6606S	文件：437.48 Kbytes Page：7 Pages	FastRecoveryandHighPowerDiode Features TheCTXS-6606Sisahighpowerdiodeofthelow-noiseandlowlosswhichrealizeapeakreversevoltageof600V.Typicalforwardvoltagedropof1.45Visrealizedbyoptimizingtherelationshipoftrade-offbetweenVFandtrr.IthasthecharacteristicssuitforPFCcircuitofCCM. Th	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
CTXS-6606S	文件：308.78 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryDiode FEATURES ·Ultrafastrecoverytime ·Lowforwardvoltage,highefficiency ·Pb-free(RoHScompliant) APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·PFCcircuit ·Largecurrentsecondarysiderectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6606	文件：1.04327 Mbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6606	文件：351.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6606	文件：143.54 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •75A,3	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FM6606	文件：276.09 Kbytes Page：8 Pages	USBcharginginterfaceintelligentcontrolchip	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富满微富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
IPC-6606	文件：1.38833 Mbytes Page：2 Pages	8/6-SlotDesktop/WallmountChassiswithPS/2andRedundantPowerSupplyOptions	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MCH6606	文件：42.59 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features •LowONresistance. •Ultrahigh-speedswithcing. •4Vdrive. •Compositetypewith2MOSFETscontainedinone package,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MP6606	文件：565.85 Kbytes Page：16 Pages	60V,8-ChannelLow-SideDriverwithSerialInterfaceandFaultIndication DESCRIPTION TheMP6606isan8-channellow-sidedriverIC withaserialinterface.Thedeviceintegrates low-sideMOSFET(LS-FET)switchesandhighside clampdiodestodriveinductiveloads, whichmakesitwell-suitedforunipolarstepper motorandsolenoiddrives. TheMP6606operatesfrom	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS

详细参数

型号：
WM-6606BK
制造商：
Penn Elcom
功能描述：
6RU Wall Mount Rack with Glass Door - 24'' Depth

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更多WM-6606BK供应商更新时间2025-7-26 9:01:00

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