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AN681	文件：219.35 Kbytes Page：10 Pages	USINGTHESi87XXFAMILYOFDIGITALISOLATORS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
ARF681	文件：122 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE FORIGBT,IEGT,GCTAPPLICATIONS SNUBBERLESSOPERATION LOWLOSSESSOFTRECOVERY Repetitivevoltageupto4500V Meanforwardcurrent1145A Surgecurrent25kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AT681	文件：43.51 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto6000V Meanon-statecurrent840A Surgecurrent10kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BD681	文件：60.93 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconNPNDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD675,675A,677,677A,679,679A,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD681	文件：39.45 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •MediumPowerDarlingtonTR •ComplementtoBD676A,BD678A,BD680AandBD682respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD681	文件：87.96 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD681	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD681	文件：130.63 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS NPNPLASTICPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ComplementaryBD676,676A,678,678A,680,680A,682&684	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BD681	文件：382.94 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD681	文件：103.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD676A/678A/680A/682 •DARLINGTON APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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产品属性

产品编号：
WKO681MCPCRAKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
WKO
包装：
卷带（TR）
容差：
±20%
电压 - 额定：
440VAC
温度系数：
Y5U（E）
工作温度：
-40°C ~ 125°C
等级：
X1，Y2
应用：
Safety
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，圆片式
大小 / 尺寸：
0.354" 直径（9.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.472"（12.00mm）
引线间距：
0.295"（7.50mm）
引线样式：
直形
描述：
CAP CER 680PF 440VAC Y5U RADIAL

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