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WCL029N06DN	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	OmniVision 豪威集团	OmniVision
FDB029N06	文件：511.33 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 193A, 3.1mW Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features • RDS(on) = 2.4mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A • Fast Switc 文件：511.33 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IIPP029N06N	文件：337.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA029N06N	文件：1.83885 Mbytes Page：11 Pages	Superior thermal resistance 文件：1.83885 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package：
PDFN5X6-8L
Size(W×L×H)(mm)(Max.)：
5.3*6.15*1
Configuration：
Single N
VDS(V) (Max.)：
60
VGS(V) (Max.)：
20
VGS(th)(V)(Typ.)：
1.8
RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Typ.)：
2.3
RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)(Max.)：
2.9
RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.)：
3.6
RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.)：
5
ID@TA = 25°C(A) (Max.)：
129
RJA(℃/W)(Max)：
17.5
RJC(℃/W)(Max)：
1.4
PD@TA= 25℃(W) (Max)：
89
Ciss(pF) (Typ)：
3394
Coss(pF) (Typ)：
1646
Crss(pF) (Typ)：
60
Qg(TOT)(nC)(Typ.)：
55.7
Qgd(nC)(Typ)：
11
Td(on)(ns)(Typ)：
10
Td(off)(ns)(Typ)：
37

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更多WCL029N06DN供应商更新时间2025-11-22 17:47:00

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