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AOTF454L	文件：296.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU454	文件：72.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU454usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU454isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU454	文件：1.68229 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU454	文件：352.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU454L	文件：72.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU454usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU454isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AQV454	文件：56.83 Kbytes Page：3 Pages	HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQV454A	文件：56.83 Kbytes Page：3 Pages	HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQV454AX	文件：56.83 Kbytes Page：3 Pages	HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQV454AZ	文件：56.83 Kbytes Page：3 Pages	HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQV454H	文件：56.83 Kbytes Page：3 Pages	HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type HE(High-functionEconomy)Type1-Channel(FormB)Type FEATURES 1.FormB(Normally-closed)type Hasbeenrealizedthankstothebuilt-inMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrel	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS

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详细参数

型号：
WAVESURFER 454 DEMO +KIT
制造商：
Teledyne Lecroy
功能描述：
WS 454 DEMO+KIT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	WAVEVSNBRD3.0	NSC	24+		2		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	WAVEVSNBRD4.4/NOPB		24+	N/A	76000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	WAVS1AC	ST	23+	DIP8	16900	正规渠道,只有原装!	询价
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深圳市腾亿芯科技有限公司	WAVS1AC	ST	25+	DIP8	16900	原装，请咨询	询价
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深圳市创盛芯科技有限公司	WAYNE	MICROCHIP/微芯	24+	QFP44	131	原装现货假一赔十	询价

更多WAVESURFER 454 DEMO +KIT供应商更新时间2025-5-21 10:20:00

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