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W987D6HBGX中文资料低功耗单存取同步动态随机存取内存(Low Power SDR SDRAM)数据手册Winbond规格书

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厂商型号

W987D6HBGX

参数属性

W987D6HBGX 封装/外壳为54-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA

功能描述

低功耗单存取同步动态随机存取内存(Low Power SDR SDRAM)

封装外壳

54-TFBGA

制造商

Winbond

中文名称

华邦电子 华邦电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 19:00:00

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W987D6HBGX规格书详情

描述 Description

This is a 128Mb Low Power SDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 16bits

特性 Features

•Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
• Data width: x16
• Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 133MHz, 166MHz
• Standard Self Refresh Mode
• PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
• Programmable output buffer driver strength
• Four internal banks for concurrent operation
• CAS Latency: 2 and 3
• Burst Length: 1、2、4 、8 and full page
• Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
• Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
• Package:54VFBGA

技术参数

  • 产品编号:

    W987D6HBGX6E TR

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - 移动 LPSDR

  • 存储容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -25°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    54-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    54-VFBGA(8x9)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA

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