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W987D2HBJ数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

W987D2HBJ

参数属性

W987D2HBJ 封装/外壳为90-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

功能描述

低功耗单存取同步动态随机存取内存

封装外壳

90-TFBGA

制造商

Winbond Winbond

中文名称

华邦电子 华邦电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 13:52:00

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W987D2HBJ规格书详情

描述 Description

This is a 128Mb Low Power SDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 16bits

特性 Features

Burst Type: Sequential or Interleave
• Standard Self Refresh Mode
• PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
• Programmable output buffer driver strength
• Four internal banks for concurrent operation
• Burst Length: 1、2、4 、8 and full page
• Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver

技术参数

  • 制造商编号

    :W987D2HBJ

  • 生产厂家

    :Winbond

  • Speed

    :133 / 166 MHz

  • Temp.

    :-25℃~85℃

  • Organization

    :4Mbit x32

  • Automotive

    :-

  • Status

    :P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Winbond Electronics
22+
90VFBGA (8x13)
9000
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Winbond Electronics
21+
8-UFBGA,WLCSP
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BGA
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23+
90VFBGA (8x13)
8000
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Winbond Electronics
24+
90-VFBGA(8x13)
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Winbond Electronics
23+/24+
90-TFBGA
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Winbond Electronics
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90-TFBGA
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