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744877101	文件：664.66 Kbytes Page：7 Pages	Marking：W101；WE-DD SMT Shielded Coupled Inductor GeneralProperties: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+85°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)	WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany. 伍尔特伍尔特集团	WURTH
744878100	文件：661.75 Kbytes Page：7 Pages	Marking：W100；WE-DD SMT Shielded Coupled Inductor GeneralProperties: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referring toIR)-40upto+85°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)	WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany. 伍尔特伍尔特集团	WURTH
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STW10NK80Z	文件：458.81 Kbytes Page：11 Pages	Marking：W10NK80Z；Package：TO-247；N-CHANNEL 800V - 0.78ohm - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH?줡ower MOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablished strip-basedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,special careistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW10NK80Z	文件：444.1 Kbytes Page：17 Pages	Marking：W10NK80Z；Package：TO-247；N-channel 800 V, 0.78 Ω, 9 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs in TO-220, TO-220FP and TO-247 packages Description ThesedevicesareN-channelZener-protected PowerMOSFETsdevelopedusing STMicroelectronics'SuperMESH™technology, achievedthroughoptimizationofST'swell establishedstrip-basedPowerMESH™layout.In additiontoasignificantreductioninonresistance,thisdeviceisdesign	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TW107Z65C	文件：961.69 Kbytes Page：12 Pages	Marking：W107Z65C；Package：TO-247-4L；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=107mΩ(typ.) (5)Lesssusceptiblet	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
STW10NK60Z	文件：492.83 Kbytes Page：19 Pages	Marking：W10NK60Z；Package：TO-247；N-channel 600V - 0.65廓 - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
W10
功能描述：
桥式整流器 1.5A 1000V
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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