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CEP1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEU1188SA	文件：428.37 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 800V,6.8A,RDS(ON)=0.72W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CXG1188UR	文件：75.43 Kbytes Page：4 Pages	HighPowerDPDTSwitchwithLogicControl	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
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DEI1188-SES	文件：805.42 Kbytes Page：13 Pages	8CHGND/OPENDISCRETEINTERFACEICW/EXTHVPROTECTION	DEIAZ Device Engineering Incorporated	DEIAZ
DEI1188-SMS	文件：805.42 Kbytes Page：13 Pages	8CHGND/OPENDISCRETEINTERFACEICW/EXTHVPROTECTION	DEIAZ Device Engineering Incorporated	DEIAZ
EMC1188	文件：541.01 Kbytes Page：48 Pages	NotebookComputers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
EMC1188	文件：541.01 Kbytes Page：48 Pages	NotebookComputers	SMSC Standard Microsystems Corporation	SMSC

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产品属性

产品编号：
VTP1188SH
制造商：
Excelitas Technologies
类别：
传感器，变送器 > 光学传感器 - 光电二极管
包装：
散装
波长：
925nm
频谱范围：
400nm ~ 1100nm
不同 nm 时响应度：
0.55 A/W @ 925nm
电流 - 暗（典型值）：
3nA
有效面积：
11mm²
工作温度：
-20°C ~ 75°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
SENSOR PHOTODIODE 925NM RADIAL

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