VT6Z2T2R_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列-罗姆

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8000+	¥0.85071

厂家型号：
VT6Z2T2R
制造商：
ROHM/罗姆
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列
封装外壳：
6-SMD
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-16 11:00:00

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原厂料号：VT6Z2T2R品牌：Rohm Semiconductor

资料说明：TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

VT6Z2T2R是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列。制造商ROHM/罗姆生产封装6-SMD的VT6Z2T2R晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

芯片型号：
vt6z2t2r
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ROHM【罗姆】详情
厂商全称：
Rohm Semiconductor
中文名称：
罗姆半导体集团
资料说明：
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

产品属性

类型
描述
产品编号：
VT6Z2T2R
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，6V
功率 - 最大值：
150mW
频率 - 跃迁：
350MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-SMD
供应商器件封装：
VMT6
描述：
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

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VT6Z2T2R_分立半导体产品 晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列-罗姆

VT6Z2T2R

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