SN75468DR_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列-德州仪器

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厂家型号：
SN75468DR
制造商：
TI/德州仪器
库存数量：
26861
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列
封装外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2022-5-16 14:35:00

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原厂料号：SN75468DR品牌：Texas Instruments

资料说明：TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

SN75468DR是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列。制造商TI/德州仪器生产封装16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的SN75468DR晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

芯片型号：
sn75468dr
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
TI【德州仪器】详情
厂商全称：
Texas Instruments
中文名称：
美国德州仪器公司
资料说明：
TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

产品属性

类型
描述
产品编号：
SN75468DR
制造商：
Texas Instruments
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
100V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 500µA，350mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

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SN75468DR

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