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VT6T2	文件：190.96 Kbytes Page：3 Pages	Power management (dual transistors) 文件：190.96 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
VT6T2	文件：1.23554 Mbytes Page：8 Pages	丝印：T2；Package：VMT6；General purpose transister (isolated dual transistors) 文件：1.23554 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
VT6T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(BIP+BIP) 在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器，起动器等各种用途。 •增幅用超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
VT6T2_13	文件：1.23554 Mbytes Page：8 Pages	General purpose transister (isolated dual transistors) 文件：1.23554 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
推荐品
封装：
VMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
VMT6
JEITA Package：
SC-105B
Package Size[mm]：
1.2x1.2 (t=0.5)
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-50.0
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.1
hFE：
120 to 560
hFE (Min.)：
120
hFE (Max.)：
560
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多VT6T2供应商更新时间2025-12-19 14:32:00

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