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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.74 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
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VT1060C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | Vishay 威世科技 | Vishay | |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | Vishay 威世科技 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation; | Vishay 威世科技 | Vishay | ||
Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOT 60V 5A TO220AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOT 60V 5A TO220AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOT 60V 5A TO220AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
详细参数
- 型号：
VT1060C
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全称：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
TO-220 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220-3 |
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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VIS |
23+ |
TO-220AB |
6000 |
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VISHAY |
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TO-220 |
25 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220 |
2520 |
原厂原装正品 |
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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