VT1060C-E3中文资料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A数据手册Vishay规格书

厂商型号	VT1060C-E3
参数属性	VT1060C-E3 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY SCHOT 60V 5A TO220AB
功能描述	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A
封装外壳	TO-220-3
制造商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世科技
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-10-4 15:08:00
人工找货	VT1060C-E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.

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